介绍集成电路电磁兼容测试的两种方法

　　1.引言

　　集成电路相关技术作为具有发展前景的技术，已经成为世界具有发展前景的高科技技术，一个国的集成电路发展水平能衡量整体的科技水平，目前受到国的高度重视，特别是关于集成电路的芯片研发领域。

　　近年来，国内越来越多的科研机构、高校院所、IC企业研发部门等逐步关注和从事集成电路的电磁兼容性（ICEMC）研究。

　　目前关于ICEMC的相关研究国外起步较早，发展较快，已经形成比较完善的理论体系以及先进的测试研究设备，像欧洲的法国、德国、美国等，亚洲的韩国、日本，新加坡。

　　国内的相关的ICEMC研究目前集中于高校院所，如国防科技大学、浙江大学、解放军信息工程大学、中科院微电子所等，近年来也取得了重要成果。

　　2.电磁敏感度

　　电磁兼容性分为电磁干扰（EMI）和电磁敏感度（EMS）。简单的说，EMI指的是待测设备影响其它设备正常工作产生的电磁辐射，EMS指的是设备抵御外界电磁辐射干扰的能力。

　　目前关于电磁敏感度测试分为多个项目，如传导、辐射、静电放电、电快速脉冲群、浪涌等。本文介绍其中两种测试方法。

　　3.电磁敏感度测试方法

　　3.1传导抗扰度

　　传导抗扰度测试主要分为直接功率注入法、大电流注入法。这里介绍直接功率注入法。

　　直接功率注入法，通过干扰源产生干扰脉冲，经过功放、定向耦合器、注入网络，进而注入电磁兼容测试设备。通过失效判据来判断设备的功能状态，确定注入电压的大小，具体配置参考IEC62132。