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介绍集成电路电磁兼容测试的两种方法

-2019-10-30-

  介绍集成电路电磁兼容测试的两种方法

  1.引言

  集成电路相关技术作为具有发展前景的技术,已经成为世界具有发展前景的高科技技术,一个国的集成电路发展水平能衡量整体的科技水平,目前受到国的高度重视,特别是关于集成电路的芯片研发领域。

  近年来,国内越来越多的科研机构、高校院所、IC企业研发部门等逐步关注和从事集成电路的电磁兼容性(ICEMC)研究。

  目前关于ICEMC的相关研究国外起步较早,发展较快,已经形成比较完善的理论体系以及先进的测试研究设备,像欧洲的法国、德国、美国等,亚洲的韩国、日本,新加坡。

  国内的相关的ICEMC研究目前集中于高校院所,如国防科技大学、浙江大学、解放军信息工程大学、中科院微电子所等,近年来也取得了重要成果。

  2.电磁敏感度

  电磁兼容性分为电磁干扰(EMI)和电磁敏感度(EMS)。简单的说,EMI指的是待测设备影响其它设备正常工作产生的电磁辐射,EMS指的是设备抵御外界电磁辐射干扰的能力。

  目前关于电磁敏感度测试分为多个项目,如传导、辐射、静电放电、电快速脉冲群、浪涌等。本文介绍其中两种测试方法。

  3.电磁敏感度测试方法

  3.1传导抗扰度

  传导抗扰度测试主要分为直接功率注入法、大电流注入法。这里介绍直接功率注入法。

  直接功率注入法,通过干扰源产生干扰脉冲,经过功放、定向耦合器、注入网络,进而注入电磁兼容测试设备。通过失效判据来判断设备的功能状态,确定注入电压的大小,具体配置参考IEC62132。